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    英特尔2nm工艺良率提升 有望领先三星追赶台积电

    2025年07月15日 11:27:48 来源:CITNews中文科技资讯

      据Semiecosystem博客报道,KeyBanc Capital Markets分析师John Vinh最新报告指出,三大半导体巨头的2nm工艺良率呈现差异化竞争态势。目前台积电N2良率约为65%,英特尔18A工艺达到55%,三星SF2则为40%。

      值得关注的是,英特尔18A工艺良率较上季度提升5个百分点,这一进展将助推其Panther Lake处理器如期上市。分析认为,英特尔代工业务有望在2nm量产阶段实现65-70%的良率,超越三星但仍落后于台积电预计的75%良率水平。

      报告同时透露,英特尔计划在2026年下半年量产18A-P改进版工艺。若关键绩效指标达成,将显著提升市场对英特尔代工业务的信心。分析师强调,在下一代14A工艺2027年底量产前,英特尔不会放弃18A-P节点的对外代工业务。

      文章内容仅供阅读,不构成投资建议,请谨慎对待。投资者据此操作,风险自担。

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