6月20日，根据外媒报道，台积电目前正在研发更先进的2nm制程工艺，计划在2025年量产。据了解，台积电在上周举行的北美技术论坛上宣布他们的目标是2nm制程工艺在2025年量产，这也是他们首次透露这一工艺的量产时间。
台积电在论坛上透露2nm制程工艺将基于全新的纳米片电晶体架构，与5nm工艺所采用的鳍式场效应晶体管(FinFET)完全不同。此前有消息透露称，台积电2nm建厂计划相关环保评审文件已提交送审，力争明年上半年通过环评，随即交地建厂，第一期厂预计2024年底前投产。在2024年进行风险试产，在2025年进行量产。
除台积电外，三星晶圆代工业务的负责人曾表示，基于 3nm 的芯片设计计划于 2022 年上半年开始生产，而基于 2nm 的芯片将在 2025 年量产。目前只知道三星将采用GAA晶体管，跟3nm一样基于MBCFET(多桥沟道FET)技术，这是一种纳米片晶体管，可以垂直堆叠，而且兼容现在的CMOS工艺，共享设备与制造方法，降低了新技术的升级成本。
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