众所周知,目前最顶尖的光刻机是ASML的EUV光刻机,能够制造3nm的芯片。且在ASML的规划中,到2024年或2025年会交付全新一代的High-NA极紫外光刻机。
这种EUV光刻机,数值孔径变为0.55NA,也就是解析度(精度)为8nm,可以制造2nm,以及1.8nm的芯片。
至于1.8nm以下,用什么光刻机?反正ASML现在还没规划,因为1.8nm后,技术又会怎么样变化,谁也不清楚。
但近日,美国一家公司Zyvex,利用一种完全不同于EUV光刻机的技术,制造出了768皮米,也就是0.7nm的芯片。
而0.7nm,差不多相当于2个硅原子的宽度,也是理论上硅基芯片的最高精度,所以很多人认为,当芯片精度达到了1.8nm以后,可能EUV光刻机也不行了,要使用Zyvex公司研发出的这种光刻技术了。
Zyvex公司的光刻技术,是啥技术?其光刻系统命名为为ZyvexLitho1,是基于STM扫描隧道显微镜,使用的是EBL电子束光刻方式,与极紫外线没有任何关系,称之为电子束光刻机,可能更合适一点。
按照Zyvex的说法,这台ZyvexLitho1是可以商用的,还可以接受别人的订单,具体多少钱一台,不清楚,但机器对方可以在6个月内出货。
虽然可以对外出货,但国厂商,想要买到它,可能就千难万难了,基本不太可能,毕竟EUV光刻机都买不到,更不要说精度更高的电子束光刻机了。
当然,硅基芯片,也不需要这种电子束光刻机,这么高的精度更多还是用于量子计算芯片,制造出一些高精度的量子器件,纳米器材等。
另外就是,EBL电子束光刻机,产能非常低,至少在目前大规模制造芯片也不现实,只能小规模的制造量子计算的芯片,至于未来能不能技术改进,提高产能,进而取代EUV光刻机,还不清楚。
但这或许也意味着在EUV光刻机后,EBL电子束光刻机是一个新的方向,你觉得呢?
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