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    SK海力士推出全球首款321层1Tb 4D NAND闪存 赋能端侧AI移动设备

    2025年05月22日 09:20:07 来源:CITNews中文科技资讯

      SK海力士今日宣布成功开发出搭载全球最高321层1Tb TLC 4D NAND闪存的UFS 4.1移动端解决方案。

      该产品专为端侧AI优化,兼具高性能与低功耗特性,能效较上一代238层产品提升7%,厚度缩减至0.85mm,适配超薄智能手机设计。

      新品支持4300MB/s的顺序读取速率,随机读写速度分别提升15%和40%,为现有UFS 4.1产品中的领先水平。

      SK海力士表示,此举将巩固其在旗舰智能手机存储市场的技术优势。该产品提供512GB和1TB容量,预计明年第一季度量产。

      文章内容仅供阅读,不构成投资建议,请谨慎对待。投资者据此操作,风险自担。

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