东方晶源亮相2025集微半导体大会，展现面向先进工艺的电子束量测检测技术

　　2025 第九届集微半导体大会于 7 月 3 日至 5 日在上海张江科学会堂盛大启幕，大会以 "智链未来・芯创无限" 为主题，开启中国半导体产业生态协同发展的新篇章。同期举办的“集微半导体展”全方位呈现了全球半导体前沿产品创新成果与技术趋势。作为国内一体化良率提升解决方案领军企业，东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司(以下简称“东方晶源”)带来旗下新一代电子束量检测设备产品矩阵的最新信息，展现出面向先进工艺的电子束量测检测技术的硬核实力。值得关注的是，其全新研发的高能电子束设备(HV-SEM)已取得重大进展，标志着东方晶源在前道电子束量检测设备四大核心领域已完成全面布局，持续夯实在国内该赛道的领跑地位。

　　东方晶源旗下新一代电子束缺陷检测设备(EBI)SEpA-i635 产品相较于前代机型 SEpA-i525 应用场景更广，检测能力和处理速度均获显著提升，综合性能可对标同类型国外先进机台。在核心的电子光学系统上，SEpA-i635 采用了东方晶源全新开发的超大电流预充电功能(微安级)和大电流成像技术(百纳安级)，最大束流实现量级跃升，使得 SEpA-i635 可检测到先进存储晶圆上复杂结构的电性缺陷，检测能力已成功通过产线验证。同时，通过对扫描控制系统、电子探测器，以及高速 DPU 系统在图像数据处理和缺陷识别的全面升级，检测速度较前代产品提升 3 倍以上。

　　电子束缺陷复检设备(DR-SEM)方面，东方晶源新一代产品 SEpA-r655 的高分辨电子光学系统采用 5 通道电子成像技术 (4 side detector+1 top detector)，不仅显著提升缺陷立体成像效果，而且能表征材料衬度，可实现对表面和亚表面晶圆缺陷的高分辨率成像和深层信息检测。电子光学系统优化后，其高景深成像能力得到提升，可满足高深宽比结构检测需求;大视场(毫米级)成像能力则满足晶圆边缘斜面成像分析需求。此外，SEpA-r655 搭载 DUV 显微模组，可提升设备无图案晶圆检测能力，并具备自动缺陷元素成份分析能力等。全新硬件平台支持新兴化合物半导体检测，能够自适应处理不同厚度的晶圆。同时，通过自动对焦硬件模组迭代及软件算法流程优化，检测速度较前代产品提升 2 倍以上。