NEO Semiconductor近日公布X-HBM超高带宽内存架构，该技术凭借32000-bit超高位宽和512Gb单层容量的突破性指标，有望重塑高性能存储市场格局。
X-HBM的核心创新在于融合超高密度I/O通道与X-DRAM 3D内存技术，通过500nm间距混合键合工艺实现I/O位宽飞跃——较即将商用的HBM4内存提升15倍以上。在容量方面，其300层堆叠技术已使单层DRAM Die达到300Gb容量，未来通过500+层堆叠可进一步提升至512Gb，为当前主流24Gb Die的21倍。
业内分析指出，传统2D DRAM技术需至2038年HBM8世代才能实现类似性能，而X-HBM的3D DRAM方案将大幅加速存储技术进步，为AI算力发展提供关键支撑。
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