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    三星提升QLC闪存性能 写入速度增加

    2021年11月24日 15:16:27   来源:ZOL

      闪存技术在近年来得到了迅速的发展,在闪存颗粒方面也经历了SLC、MLC、TLC、QLC等技术的更迭,如今廉价、大容量的SSD几乎都要上QLC闪存了,但由于QLC闪存性能差是先天性的,如果用光了缓存容量空间,QLC闪存真实写入速度甚至只有100MB/s出头。

      三星方面表示未来会重点关注QLC闪存的性能,目前他们使用的QLC闪存主要还是96层堆栈的V5 QLC,明年会跳过V6 QLC,直接进入176层的V6 QLC闪存时代。而这也会带来闪存性能的提升,相比V4 QLC闪存而言,写入速度为2.7倍、读取速度为2.6倍,相比现在的V5 QLC大概能提升一倍,意味着写入性能可提升到320MB/s。

      不考虑缓存加速,320MB/s的原始写入性能已经相当可观了,足以让SSD性能重新超过HDD硬盘,并且跟TLC闪存一较高下,相关产品预计在明年上市。

      对大多数玩家来说,这都是一个利好消息,拿三星自己的产品举例采用TLC颗粒的三星870 EVO,1TB 版本的价格与采用QLC颗粒的三星870 QVO价格相差了300元,2TB版本相差了400元,4TB版本更是相差了700元,而在读写速度方面两者基本相同,对于购买预算不高的用户,870 QVO显然更具有性价比,相信随着QLC闪存性能的提高,采用QLC颗粒的闪存产品性价比会进一步提升。

      文章内容仅供阅读,不构成投资建议,请谨慎对待。投资者据此操作,风险自担。

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