Arm公司和三星公司本周宣布了针对Arm下一代Cortex通用CPU内核以及三星下一代工艺技术(采用全栅极GAA多桥沟道场效应晶体管MBCFET)的联合设计技术共同优化(DTCO)计划。
根据该计划,两家公司的目标是为各种应用(包括智能手机、数据中心、基础设施和各种定制的片上系统)提供基于三星 2 纳米级工艺技术的定制版 Cortex-A 和 Cortex-X 内核。
目前,这两家公司还没有透露他们的目标是为三星第一代 2 纳米生产节点 SF2(将于 2025 年推出)共同优化 Arm 的 Cortex 内核,还是计划为所有 SF2 系列技术(包括 SF2 和 SF2P)优化这些内核。
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