三星研究员悲观看待EUV光刻技术寿命 认为High-NA方案面临成本问题

　　3 月 8 日消息，三星研究员 Young Seog Kang 在近日举行的 SPIE 先进光刻 + 图案化会议的小组讨论中对 EUV 技术的寿命持有悲观看法，认为 High-NA(高数值孔径)路线存在成本问题。

　　Kang 表示，作为光刻技术的用户方，其总是最关心整体成本。

　　这位研究员指出，芯片制造商可使用目前运行的 0.33NA EUV 光刻机搭配多重图案化实现精度的进一步提升，而无需更昂贵的替代方案(IT之家注：即 High-NA 光刻机)。

　　更重要的是，代工厂正转向先进封装和其他图案化方法生产芯片。尤其对于拥有大量重复单元的存储半导体，纳米压印等方案正在市场中逐渐占据一席之地。

　　Kang 的表态是从去年底开始的 High-NA 成本大讨论的一部分：

　　此前分析机构 SemiAnalysis 称对于 1.4nm 节点而言，High-NA 光刻成本仍高于现有版本 EUV + 多重图案化的组合;

　　ASML 首席财务官回击称 High-NA 光刻是未来最经济选择，相关订单逐步增加。

　　而在买方，三星的主要竞争对手英特尔积极采用 High-NA EUV，并已宣布将在 Intel 14A 制程节点引入;行业龙头台积电对此并未发表过多信息，有传闻称要等到 2030 年后才会使用。

　　在 Kang 所在的小组内部，各方专家也有各自的意见：

　　光刻胶供应商 JSR 北美总裁马克・斯莱扎克(Mark Slezak)表示 EUV 技术的整体寿命将长达 20 年;

　　英特尔掩模业务总经理弗兰克・阿布德(Frank Abboud)认为，相移掩模这一在 DUV 光刻中起到重大作用的技术有望引入 EUV;

　　ASML 系统工程总监扬・范・舒特(Jan van Schoot)指出，其正在研发新的光源，并采取其他技术改善同数值孔径一样重要的 k1 复合参数;

　　Imec 技术人员艾米丽・加拉格尔(Emily Gallagher)则表示，EUV 的未来命运也可能由技术之外的因素决定：如生产过程中含氟温室气体的排放问题，为环境考虑使用替代品将引入更大变量。