SK海力士正测试低温蚀刻技术 堆叠层数进一步提升

　　伴随着3D NAND的堆叠层数越来越多，设备厂商以及存储厂商正在想方设法的研究新的生产技术从而改进生产效率。根据最新的消息表明SK海力士和三星目前都正在对东京电子最新的低温蚀刻设备进行测试，这一设备对于提升3D NAND的堆叠层数有着更加重大的意义。

　　据韩媒thelec的消息，SK海力士就在评估东京电子最新的低温蚀刻设备，该设备可以在-70℃的低温下运行，用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度是传统工具的三倍，对多层数的3D NAND非常有用。SK海力士正在把测试晶圆发送到东京电子的实验室，从而评估新设备的能力。当前的蚀刻工艺是在0℃到30℃的温度范围内工作的，而东京电子的蚀刻设备在-70℃低温下运行，这形成了鲜明的对比，根据他们的论文数据，新的蚀刻机可以在33分钟内进行10微米深的高深度比蚀刻，比现有工具快三倍以上，这一成果是一项重大的技术进步，而且大大提升了3D NAND的生产效率。

　　SK海力士现在的321层3D NAND据说采用了三重堆栈结构，采用东京电子的新设备后可能以单堆栈或双堆栈的方式构建400层的3D NAND，生产效率明显提高，当然这能否成功还得看设备的可靠性以及性能一致性。此外SK海力士考虑应用低温蚀刻设备的另一个原因是减少碳排放，现有的蚀刻工艺中，使用的是具有较高全球变暖潜能值(GWP)的碳氟化合气体，如四氟化碳和八氟丙烷，其GWP分别为6030和9540，但东京电子新一代蚀刻设备使用的是GWP小与1的氟化氢气体，这将大幅减少温室气体的排放。

　　同时三星也在验证这一新技术，与SK海力士不同的是，三星是直接引进东京电子的新设备进行测试。