鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存

　　12 月 30 日消息，韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm(IT之家注：即第 8 代 10 纳米级)制程 DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来可能的商业化提供更丰富技术储备。

　　结合三星前任存储器业务负责人李祯培今年 9 月展示的路线图和《韩国经济日报》10 月的报道，三星电子原计划在 2026 年推出的 1d nm 内存后于 2027 年推出基于 4F2 VCT 创新结构的 0a nm 内存。

　　韩媒表示 1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最终走向商业化则 4F2 VCT DRAM 的量产预计将至少延至 2029 年。

　　4F2 VCT DRAM 的优势在于其 DRAM 单元更为小巧，且能更有效利用垂直方向空间，但这也意味着其生产流程将引入大量新技术、新设备，将大幅提升资本支出和生产成本;相比之下延续传统结构的 1e nm DRAM 具有明显成本优势。

　　内部消息人士表示，在经历缩小 HBM 开发团队规模导致未能在 HBM 市场占据有利地位的重大战略错误后，三星内部忽视非主要产品技术开发的氛围已有很大改善，这一变化推动了 1e nm DRAM 等“备选技术”的发展。