据媒体报道，英伟达已选定美光科技作为其下一代内存解决方案SOCAMM的首家供应商。
SOCAMM(小型压缩附加内存模块)是一种专为数据中心AI服务器设计的新型高性能、低功耗内存。该技术因在AI加速中的关键作用而被部分业界人士视为“第二代高带宽存储器(HBM)”。
英伟达此前委托三星电子、美光等内存制造商开发SOCAMM原型。凭借在低功耗DRAM性能上的优势，美光率先获得英伟达的量产批准，超越了规模更大的竞争对手三星。目前，三星等韩国内存供应商虽已开发出SOCAMM芯片，但尚未获得英伟达认证。
与垂直堆叠并与GPU紧密集成的HBM不同，SOCAMM主要支持中央处理器(CPU)，在优化AI工作负载方面扮演关键的支撑角色。
首批SOCAMM模块基于堆叠式LPDDR5X芯片，由英伟达设计，将应用于其计划于2026年发布的下一代AI加速器平台Rubin。
SOCAMM采用引线键合和铜互连技术，每个模块连接16个DRAM芯片——这与HBM使用的硅通孔技术形成鲜明对比。铜互连结构显著增强了散热性能，这对AI系统的稳定运行和可靠性至关重要。
美光宣称其最新LPDDR5X芯片能效比竞争对手高出20%，这是其赢得英伟达订单的关键因素。考虑到每台AI服务器将搭载四个SOCAMM模块(总计256个DRAM芯片)，散热效率的重要性尤为突出。
分析师认为，SOCAMM的可扩展性意味着它未来可能应用于更广泛的英伟达产品线，包括其即将推出的个人超级计算机项目DIGITS。
美光在低发热量内存技术上的突破，也有望提升其在竞争激烈的HBM领域的地位。随着行业向需要堆叠12层甚至16层DRAM的HBM4迈进，热管理已成为关键的差异化因素。(鹿角)
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