三星量产14纳米EUV DDR5 DRAM芯片

　　三星电子近日宣布，它们已开始量产业界最小的14 纳米 (nm) DRAM，基于极紫外 (EUV) 技术打造 。继去年3月三星推出业界首款 EUV DRAM 后，三星已将EUV 层数增加到5层。

　　三星电子高级副总裁兼DRAM 产品与技术负责人Jooyoung Lee表示：我们在近三十年的时间里一直引领着 DRAM 市场。今天，三星通过多层 EUV技术达到了新的里程碑，是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法达到的。在这基础上，我们将继续提供独特的内存解决方案，满足 5G、AI 和元宇宙等的数据驱动领域对于更高性能和容量的需求。”

　　EUV 技术对于提高图案化精度以实现更高性能和更高产量变得越来越重要。通过在其 14 纳米 DRAM 中应用五个 EUV 层，三星实现了最高位密度，同时将整体晶圆生产率提高了约 20%。此外，与上一代 DRAM 节点相比，14 纳米工艺有助于将功耗降低近 20%。

　　利用最新的 DDR5 标准，三星的 14 纳米 DRAM速度能够达到7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快两倍多。

　　三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。此外，三星预计将其 14 纳米 DRAM 芯片密度增加到 24Gb，以更好地满足全球 IT 系统快速增长的数据需求。