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    三星研发全新内存技术 LLW DRAM

    2024年01月11日 10:14:45   来源:DoNews

      三星正在研发一种名为 LLW DRAM 的新型内存,具有低延迟、高带宽和低功耗特性。该内存特别适用于运行大型语言模型的设备,但其性能优势也适用于各种客户端工作负载。

      LLW DRAM 采用宽 I/O、低延迟特性,带宽高达 128 GB/s,且功耗仅为 1.2pJ/bit。外界推测,LLW DRAM 可能借鉴了 GDDR6W 的技术,采用 Fan-Out 晶圆级封装(FOWLP)将多个 DRAM 器件集成到一个封装中。

      预计该技术可用于 AI 边缘计算设备、智能手机、笔记本电脑和汽车领域。虽然三星未透露 LLW DRAM 的上市时间,但从其公开的性能预期来看,研发进程已接近尾声。

      文章内容仅供阅读,不构成投资建议,请谨慎对待。投资者据此操作,风险自担。

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