台积电驳斥推迟日本芯片厂建设说法，强调美国投资不影响他国计划

　　7 月 6 日消息，据《华尔街日报》援引知情人士消息，台积电正在放缓其在日本的芯片制造设施投资，以加快在美国亚利桑那州的 Fab 21 工厂建设，此举可能是为了应对美国政府可能对中国台湾地区生产的芯片征收关税的风险。然而，台积电在回应 Tom's Hardware 的询问时表示，其在美国亚利桑那州的重大投资计划不会影响其在日本和德国的芯片制造工厂计划。

　　台积电发言人表示：“台积电不对市场传闻发表评论。台积电的全球制造扩张战略基于客户需求、商业机会、运营效率、政府支持程度以及成本经济考量。我们在美国的投资计划不会影响我们在其他地区的现有投资计划。”

　　此前有传闻称，台积电将放缓其在日本熊本附近的 Fab 23 二期(JASM 二期)以及德国德累斯顿附近的 Fab 24 一期(ESMC 一期)的支出，以便优先将资金投入亚利桑那州的 Fab 21 工厂，并加快 Fab 21 二期的设备安装进度。本周早些时候，有消息称台积电计划在 2027 年提前数个季度启用具备 N3 工艺能力的 Fab 21 二期，而德国和日本的项目则被推迟。

　　尽管计划可能会发生变化，但这些变化并非总是相互关联的，尤其是考虑到这些项目处于不同阶段，以及台积电庞大的资本支出预算(320 亿至 420 亿美元)和大规模产能扩张计划。

　　台积电美国工厂最新进展

　　今年早些时候，台积电已确认将加快台积电亚利桑那州 Fab 21 二期的量产启动时间，以满足客户需求。计划将原定于 2028 年的量产启动日期提前数个季度，预计可能在 2027 年。目前，Fab 21 工厂已达到“封顶里程碑”，正在安装各种机械、电气、管道、空气过滤、空调及其他系统。该项目的下一阶段将是安装实际的半导体生产设备，这是每个工厂项目中最具资本密集性(成本最高)的阶段。

　　台积电首席执行官兼董事长魏哲家在 2025 年第一季度财报电话会议中表示：“我们第二个工厂的建设已经完成，该工厂将使用 3 纳米工艺技术，我们正在加快量产进度，以满足客户对人工智能相关需求的强烈增长。”

　　此外，台积电计划在 2025 年晚些时候开始建设 Fab 21 三期和四期的厂房，并计划在本十年后半叶投产。魏哲家表示：“我们的第三和第四个工厂将使用 N2 和 A16 工艺技术，预计在获得所有必要许可后，将于今年晚些时候开始建设。”

　　事实上，彭博社在 4 月下旬报道称，台积电确实开始建设其在亚利桑那州的“第三个工厂”，尽管尚不清楚该公司是开始准备土地还是实际破土动工(例如浇筑地基)。考虑到截至 4 月 17 日台积电尚未获得所有必要许可，似乎该公司只是开始为该设施准备土地。

　　台积电日本工厂最新进展

　　据IT之家了解，台积电在日本的第一个工厂 ——Fab 23 一期已于 2024 年 12 月底开始大规模生产芯片。该公司原计划今年早些时候开始建设 Fab 23 二期，但由于当地基础设施不足，进度推迟。

　　魏哲家在与分析师和投资者的电话会议中表示：“我们第二个专业工厂的建设预计将于今年晚些时候开始，具体取决于当地基础设施的准备情况。”《华尔街日报》的报道将当地交通问题列为推迟的原因。日本政府代表表示，他们没有收到台积电直接以当地交通为由的沟通，并对该理由表示怀疑。尽管如此，政府仍相信该工厂的生产时间表和产量目标将基本保持不变。

　　土地平整和厂房建设是建设半导体生产设施的资本密集度最低的阶段，这意味着这一阶段相对成本较低。因此，除非公司资金不足，否则没有理由为了加快另一个项目而放慢这一阶段的进度，而台积电显然不存在资金问题。

　　台积电德国工厂最新进展

　　同样的情况也适用于台积电在德国的项目 —— 与博世、英飞凌和恩智浦合作的 Fab 24 项目，预计将于 2027 年底投产。该公司于 2024 年 8 月正式开始为该工厂准备土地。到目前为止，公司尚未正式开始建造厂房，但建造工厂建筑的成本低于设备安装成本，因此台积电不太可能因在美国的大规模投资项目而推迟 Fab 24 的建设。

　　魏哲家在电话会议中表示：“我们在德国德累斯顿建设专业技术晶圆厂的计划正在按部就班地推进。我再次强调，我们不会放慢在日本或德国的计划。”

　　台积电强调，其工厂的上线时间是基于客户需求的，美国项目的扩张不会影响其在其他国家的计划。台积电发言人表示：“台积电不对市场传闻发表评论。台积电的全球制造扩张战略基于客户需求、商业机会、运营效率、政府支持程度以及成本经济考量。我们在美国的投资计划不会影响我们在其他地区的现有投资计划。”