意法半导体(STMicroelectronics)宣布与三星联合推出 18nm FD-SOI 工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器(ePCM)。
IT之家注:FD-SOI 即全耗尽型绝缘体上硅,是一种平面半导体工艺技术,可以较简单的制造步骤实现优秀的漏电流控制。
意法半导体表示,相较于其现在使用的 40nm eNVM 技术,采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 工艺大幅提升了性能参数:其在能效上提升了 50%,数字密度上提升了 3 倍,同时可容纳更大的片上存储器,拥有更低的噪声系数。
该工艺能够在 3V 电压下提供多种模拟功能,包括电源管理、复位系统等,是 20nm 以下制程中唯一支持这些功能的技术。
同时,新的 18nm FD-SOI 工艺在抗高温、抗辐射等方面也有出色表现,可用于要求苛刻的工业应用。
意法半导体首款基于该制程的 STM32 MCU 将于下半年开始向选定的客户出样,并计划于 2025 年下半年量产。
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