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    能效优异,消息称美光在HBM内存领域迅速成为韩厂威胁

    2024年06月03日 17:23:01   来源:IT之家

      韩媒 ETNews 近日报道指,在优异能效等因素下,美光正迅速在 HBM 内存领域成为 SK 海力士和三星电子两大韩国存储企业的威胁。

      由于多重影响,美光传统上在 HBM 领域处于弱势。但美光在 2022 年大胆放弃了 HBM3 的量产,将精力集中在了 HBM3E 内存的研发和改进上。

      这一决策收获了丰硕的成果:美光已接获 HBM 最大需方英伟达的订单,并开始向英伟达 H200 AI GPU 出货 HBM3E 内存。

      美光迅速成为韩厂威胁的重要原因之一是能效优势:美光宣称其 8Hi 堆叠的 24GB HBM3E 内存功耗比竞品低 30%。

      AI 需求爆发的当下,低功耗技术逐渐成为业界关注的焦点。更节能的 HBM3E 内存可降低系统发热和用电量,减少散热需求,最终降低 AI 数据中心的 TCO。

    美光 8Hi HBM3E 内存

      此外,美国渴望扩大半导体自给自足率,在这一大背景下美光获得了美国政府大量资金支持,得以新建大型存储晶圆厂。

      美光的美国身份也使其更容易接触英特尔和 AMD 这另外两家 AI 芯片企业,便于拿下更多的 HBM 订单。

      而在产能方面,根据 TrendForce 集邦咨询今年 3 月的研报,美光在 2023 底的 HBM 产能仅有每月 3000 片 12 英寸晶圆,占到整体市场的 3.2%。

      到 2024 年底,美光有望实现每月 20000 片晶圆的 HBM 产能,市场占比也大幅提升至 11.4%。

      在美光未来产品方面,根据IT之家此前报道,其单堆栈容量可达 36GB 的 12Hi HBM3E 内存已于 3 月初完成采样,计划 2025 年实现大规模量产。

      展望更远的 HBM4 世代,韩媒称美光计划在 2025 下半年实现 HBM4 内存的开发,HBM4E 的开发完成则落在 2028 年。

      文章内容仅供阅读,不构成投资建议,请谨慎对待。投资者据此操作,风险自担。

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