三菱电机以匠人心态引领功率半导体技术革新

　　2025年9月24日，三菱电机半导体在上海PCIM Asia期间举办了以“创新功率器件构建可持续未来”为主题的媒体发布会。三菱电机机电(上海)有限公司半导体事业部总经理赤田智史、三菱电机功率器件制作所资深研究员Gourab Majumdar博士、三菱电机功率器件制作所产品战略部部长野口宏一郎博士分别就公司半导体业务概况、功率芯片技术路线图及新型功率模块亮点进行了详细介绍。发布会最后，Majumdar博士、野口宏一郎博士、赤田智史与三菱电机机电(上海)有限公司半导体事业部市场总监陈伟雄一同参与了媒体问答环节。就三菱电机最新产品、技术趋势及市场战略与媒体进行了互动交流。

　　三菱电机深耕半导体领域 69 年，凭借多项核心专利与产业化能力，在全球电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件及家电市场占据重要地位。其半导体产品广泛覆盖变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通信及有线/无线通信等关键领域，为各行业高效运行与绿色转型提供核心支撑。

　　在业务层面，三菱电机近期财报显示，公司在复杂市场环境中保持稳健增长。2025财年(2024年4月至2025年3月)业绩创历史新高，实现营收 55217亿日元，营业利润 3918亿日元。尽管面临汇率波动，2026财年(2025年4月至2026年3月)预计营收 54000亿日元，营业利润将进一步提升至 4300亿日元。

　　在半导体业务方面，2025财年营收为 2863亿日元，营业利润 406亿日元，主要得益于光通信器件需求增长及产品结构优化。2026财年，半导体业务营收预计增至 2900亿日元，营业利润预计为 310亿日元，虽受汇率及摊销成本影响利润有所调整，但公司仍持续投入功率器件与光器件领域，强化市场竞争力。

　　三菱电机在熊本县建设的 八英寸SiC晶圆新工厂计划于 2025 年 11 月投产，在福冈县的模块封装与测试新工厂计划于 2026 年 10 月投产。

　　在这次发布会上，三菱电机功率器件制作所资深研究员 Majumdar 博士(Dr. Gourab Majumdar)围绕功率芯片技术战略展开深度解读，系统阐述了公司在硅基与碳化硅基器件领域的技术突破与未来规划。

　　在功率芯片技术方面，三菱电机持续推动硅基IGBT与碳化硅基MOSFET的协同发展。硅基IGBT已演进至第8代，通过CSTBT™技术、超薄晶圆、分段门结构(Split Gate)和深层缓冲(CPL)等创新，显著降低导通与开关损耗，提升器件可靠性。第8代IGBT更采用两段式门极设计，优化dv/dt与di/dt控制，满足电机驱动与新能源发电应用等不同应用场景需求。

　　碳化硅技术方面，三菱电机已推出第4代沟槽栅SiC-MOSFET，具备高栅极可靠性和低导通电阻等优势。通过优化沟槽底部电场缓解层、侧壁P-well结构及高浓度JFET掺杂，其比导通电阻(Ron,sp)较传统平面栅SiC-MOSFET降低50%以上。未来，公司计划每两年推出一代新型SiC-MOSFET，持续引领行业技术迭代。